在掃描電鏡（SEM）下，樣品充電（charging）主要發(fā)生在非導電或低導電材料表面，因為電子束轟擊后產生的多余電荷無法及時泄放。為了防止充電，可以從樣品準備和成像條件兩方面入手：

一、樣品制備階段

導電涂層處理

用離子濺射或蒸鍍方法在樣品表面鍍一層薄金屬（Au、Pt、Au/Pd）或碳層。

厚度一般 5–20 nm，既能導電又不會明顯掩蓋表面細節(jié)。

如果要做能譜（EDS）分析，建議選碳涂層，避免金屬峰干擾。

導電膠或銅膠帶接地

樣品與樣品臺之間涂導電銀膠、碳膠或貼導電膠帶，確保表面涂層與樣品臺電氣連接。

對于形狀不規(guī)則的樣品，可用膠帶局部包裹連接到臺面。

減少非導電裸露面

對于部分區(qū)域非導電的樣品，可選擇局部噴鍍，僅保留感興趣區(qū)域不涂層（但成像難度會增加）。

二、成像條件優(yōu)化

4. 降低加速電壓

將加速電壓調低到 1–5 kV，減少電子束穿透深度，降低電荷積累速度。

使用低真空或環(huán)境 SEM 模式

在腔體中引入少量氣體（如水蒸氣），利用氣體分子電離中和表面電荷，適合生物樣品、濕樣品和粉末。

降低束流強度

調低探針電流，減少單位時間電子注入量。

快速掃描 + 多幀累積

避免電子束長時間停留在同一區(qū)域，用多幀疊加的方法提升信噪比而不增加充電風險。

三、操作細節(jié)

8. 逐步放大

先在低放大倍率下找到目標區(qū)域，再逐步放大，減少在小區(qū)域的持續(xù)轟擊。

避免長時間靜止束照射

暫停時應先切換到低倍率或關閉束流，避免局部過度充電。