加速電壓是掃描電鏡（SEM）里非常關鍵的參數，控制它主要有以下幾個原因：

電子束穿透深度與分辨率

高加速電壓（10–30 kV）：電子能量高，穿透深度大，激發(fā)的信號范圍更廣，適合觀測樣品內部結構或厚樣品，但會降低表面分辨率。

低加速電壓（0.5–5 kV）：電子束與樣品的相互作用區(qū)域變淺，更突出表面信息，分辨率更高，特別適合觀察樣品表層精細結構。

電荷效應（Charging Effect）

非導電樣品在高電壓下容易積累電荷，導致圖像發(fā)亮、漂移或變形。

使用低電壓可以減輕樣品充電問題，避免對非導電材料額外鍍層的需求。

信號類型與對比度

高電壓更容易激發(fā) X 射線信號，有利于能譜分析（EDS/EDX）。

低電壓更適合獲取 二次電子圖像，增強表面形貌對比。

樣品損傷

高電壓電子束可能導致樣品發(fā)熱、結構損壞或改性，特別是對生物樣品、聚合物或低熔點材料。

控制電壓可降低束流損傷，延長樣品穩(wěn)定成像時間。