判斷掃描電鏡能譜中的假峰是一項非常重要的技能，它直接影響到元素分析的準(zhǔn)確性。假峰并非來自樣品本身，而是由儀器、環(huán)境或物理效應(yīng)產(chǎn)生。

以下是一份詳細(xì)的指南，幫助識別和判斷常見的假峰類型：

 常見的假峰類型及其特征

1. 和峰

成因：當(dāng)探測器在短時間內(nèi)同時接收兩個X光子，它會錯誤地將這兩個光子的能量相加，記錄為一個更高能量的假峰。

識別特征：

峰位通常是某個強(qiáng)峰能量的整數(shù)倍或簡單加和。例如，一個很強(qiáng)的Si Ka峰（1.74 keV）可能產(chǎn)生一個位于約3.48 keV的和峰。

強(qiáng)度規(guī)律：和峰的強(qiáng)度與對應(yīng)強(qiáng)峰的平方成正比。如果強(qiáng)峰強(qiáng)度增加一倍，和峰強(qiáng)度會增加約四倍。

通常只在主峰非常強(qiáng)時才會出現(xiàn)。

2. 逃逸峰

成因：一個X光子進(jìn)入探測器后，激發(fā)了探測器材料（通常是硅）的原子，產(chǎn)生一個Si Ka X光子。如果這個Si Ka光子逃逸出了探測器，那么原始光子的能量就會損失掉1.74 keV（Si Ka的能量）。

識別特征：

峰位總是在某個真實峰能量減去1.74 keV的位置。例如，一個強(qiáng)的Fe Ka峰（6.40 keV）會伴隨一個出現(xiàn)在6.40 - 1.74 = 4.66 keV的逃逸峰。

它是硅探測器固有的特征。

3. 來自樣品臺、支架或鏡室的峰

成因：電子束轟擊到了非樣品的金屬部件，如銅樣品臺、鋁支架、或鏡筒內(nèi)部的金屬，產(chǎn)生了這些材料的特征X射線。

識別特征：

峰的元素（如Cu、Al、Fe、Ni、Cr、O）在您的樣品成分中無法解釋。

當(dāng)移動樣品到不同位置，或者甚至將電子束打在沒有樣品的空白區(qū)域時，這些峰依然存在。

它們通常是彌散性的背景峰。

4. 涂層材料的峰

成因：如果您對不導(dǎo)電樣品進(jìn)行了噴金、噴碳等處理，電子束會激發(fā)出涂層材料的特征X射線。

識別特征：

出現(xiàn)Au、Pd、Pt、C等元素峰，而這些元素并非樣品本身所有。

這是系統(tǒng)性出現(xiàn)的，所有噴鍍過的樣品都會有。

5. 高階衍射峰

成因：主要出現(xiàn)在波譜儀中。晶體在衍射一級譜線的同時，也可能衍射二級或三級譜線。

識別特征：

峰位出現(xiàn)在某個強(qiáng)峰能量的2倍或3倍位置附近。

通過切換不同的分析晶體，峰位會發(fā)生規(guī)律性變化，從而可以識別。